[发明专利]一种在Cu薄膜体系中生成Cu三角晶体的方法有效
| 申请号： | 201610225663.2 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105862007B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 林启敬;蒋庄德;王琛英;杨树明;赵娜;伍子荣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/14 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在Cu薄膜体系中生成Cu三角晶体的方法，首先在具有<111>晶向的基底上沉积Cu薄膜；随后在Cu薄膜上沉积一层还原性较强的其他材料的薄膜，用以防止Cu薄膜在高温下被氧化；然后采用热处理设备在惰性气体氛围内对样品进行退火，退火温度大于500℃，保温一定时间后，随炉冷却，得到Cu三角晶体。所得到的Cu三角晶体表面，成正等边三角形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu 薄膜 体系 生成 三角 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在Cu薄膜体系中生成Cu三角晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：制备Cu薄膜体系：在具有<111>晶向的基底上依次沉积Cu薄膜和具有较强还原性且不与Cu发生化学反应的其他材料薄膜，制备Cu薄膜体系；退火：采用热处理设备在惰性气体氛围内对Cu薄膜体系进行退火，退火温度大于500℃，退火温度的上限以不融化样品为准，退火后随炉冷却至室温，得到Cu三角晶体；所述退火的保温时间为不小于2分钟，所述的具有较强还原性且不与Cu发生化学反应的材料是Mg、Al、Zn、Fe、Sn、Ti。
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