[发明专利]晶体硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201610221586.3 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105839182A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;付楠楠;王向东 | 申请（专利权）人： | 西安隆基硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 赵逸宸 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明的晶体硅材料包括硅、镓及镧系稀土元素X，所述镧系稀土元素X的浓度为1010～1016原子每立方厘米。利用如上所述的晶体硅制造的太阳能电池，对电学性能有帮助。本发明还提供如上所述的晶体硅的制备方法。本发明的晶体硅材料掺杂镓以减少光衰、并利用硼元素调节电阻率分布，提高产率及品质。并且，掺杂的镧系稀土元素X通过下转换作用，能够有效的提高硅材料对紫外波段光的利用率，利用该晶体制得的太阳能电池显著提高了转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
晶体硅，包括硅、硼、镓及镧系稀土元素X，所述镧系稀土元素X的浓度为1010～1017原子每立方厘米。
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