[发明专利]一种大尺寸单晶体的分阶段提拉制备方法有效
| 申请号： | 201610217548.0 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105839177B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 姚以力;姚华;姚霁轩 | 申请（专利权）人： | 齐齐哈尔市泰兴机械加工有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 161000 黑龙江省齐齐哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于单晶体材料制备技术领域，具体公开了一种大尺寸单质晶体的分阶段提拉制备方法。本发明方法是首先熔化原料形成稳定流动的熔体，将籽晶缓慢浸入熔体后进行洗晶处理，其次旋转籽晶并向上提拉完成引晶，然后间歇式分阶段提拉晶体至生长结束，最后分阶段降温即可获得晶体。本发明方法采用晶体分阶段提拉生长的技术，可以有效控制晶体放肩、等径生长的形态，并减少因机械传动造成对晶体质量的影响，提高晶体的品质。 1 | ||
| 搜索关键词： | 分阶段 提拉 熔体 籽晶 制备 制备技术领域 熔化 单晶体材料 浸入 单质晶体 等径生长 机械传动 稳定流动 有效控制 生长 单晶体 间歇式 晶体的 放肩 洗晶 引晶 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸单晶体的分阶段提拉制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将晶体原料加入到坩埚中熔化，形成稳定流动的熔体；步骤2，将籽晶自熔体表面上方以3mm/min速度缓慢下降，将籽晶末端浸入熔体液面以下10‑20mm处，并在20‑30mm距离内反复升降，进行洗晶处理；步骤3，将步骤2洗晶处理后的籽晶移动至熔体中，并旋转籽晶，同时向上提拉籽晶，重复10‑20次后完成引晶；步骤4，将步骤3完成引晶的籽晶浸入熔体中，在功率下降速度为3‑5W/h时静置；30‑40h后在功率下降速度为7‑15W/h、籽晶提拉速度为2.0‑3.5mm/h时，向上提拉籽晶；20‑30h后停止提拉且静置籽晶，将功率下降速度调为10‑20W/h；60‑80h后，将功率下降速度调为20‑30W/h、籽晶提拉速度为4‑8mm/h时，向上提拉籽晶；5‑15h后停止提拉且静置籽晶，将功率下降速度调为15‑20W/h，如此直至晶体生长结束；步骤5，缓慢分阶段降低温度并取出晶体，即获得大尺寸单晶体。
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