[发明专利]减小型分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种减小型非易失性存储器单元阵列，所述减小型非易失性存储器单元阵列通过以下步骤实现：在绝缘层中沿行方向形成第一沟槽，用绝缘材料填充所述第一沟槽，在所述绝缘层中沿列方向形成第二沟槽，在所述第二沟槽中形成STI绝缘材料，以及穿过所述第一沟槽形成源极区。或者，所述STI隔离区可制成连续的，并且所述源极扩散区注入具有足够的能量以形成连续的源极线扩散区，每个源极线扩散区跨有源区并且在所述STI隔离区之下延伸。这使得相邻的存储器单元对的控制栅极可形成得更靠近在一起。

主权项

一种非易失性存储器单元阵列，所述非易失性存储器单元阵列包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个平行、连续的隔离区，每个隔离区沿第一方向延伸，有源区位于每对相邻的所述隔离区之间，其中每个隔离区包括形成到所述衬底的表面中的沟槽和设置于所述沟槽中的绝缘材料；所述衬底中的多个平行、连续的源极线扩散区，每个扩散区沿正交于所述第一方向的第二方向延伸，其中每个源极线扩散区跨每个所述有源区并且在每个所述隔离区中的所述绝缘材料之下延伸；多个存储器单元对，所述多个存储器单元对形成于每个所述有源区中，其中每个所述存储器单元对包括：所述衬底中的源极区，所述源极区是所述连续的源极线扩散区中的一个的一部分，所述衬底中的第一漏极区和第二漏极区，其中第一沟道区在所述第一漏极区和所述源极区之间延伸，并且第二沟道区在所述第二漏极区和所述源极区之间延伸，第一浮动栅极，所述第一浮动栅极设置在所述第一沟道区的第一部分上面并且与所述第一沟道区的第一部分绝缘，第二浮动栅极，所述第二浮动栅极设置在所述第二沟道区的第一部分上面并且与所述第二沟道区的第一部分绝缘，第一选择栅极，所述第一选择栅极设置在所述第一沟道区的第二部分上面并且与所述第一沟道区的第二部分绝缘，第二选择栅极，所述第二选择栅极设置在所述第二沟道区的第二部分上面并且与所述第二沟道区的第二部分绝缘，第一控制栅极，所述第一控制栅极设置在所述第一浮动栅极上面并且与所述第一浮动栅极绝缘，第二控制栅极，所述第二控制栅极设置在所述第二浮动栅极上面并且与所述第二浮动栅极绝缘，以及擦除栅极，所述擦除栅极设置在所述源极区上面并且与所述源极区绝缘。