[发明专利]锗银复合材料及其在光电器件中的应用有效
| 申请号： | 201610216678.2 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105866983B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李伟;狄增峰;齐功民;张苗;母志强;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;H01L31/115;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 光电 器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种锗银复合材料，其特征在于：所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒，所述锗银复合材料是通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到，以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用以及银纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，其中，所述银纳米颗粒的平均粒径范围是1～50nm。
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