[发明专利]表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法有效
| 申请号： | 201610216232.X | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105702820B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;杨凯;赵宇;林鸿亮;徐培强;何胜;李波;张永;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 32106 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江平<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。采用ITO扩展电流扩展层代替n型AlGaInP电流扩展层，既可改善LED芯片的电流扩展均匀性，又消除了n型AlGaInP电流扩展层吸光的问题，提高出光效率。因此，可以延长反极性AlGaInP基LED的寿命、提高其光电转换效率。本发明具有工艺简单、方便生产操作的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 覆盖 ito 极性 algainp led 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、ITO扩展电流扩展层和主电极；所述ODR反射镜由相互连接的金属反射层和介质膜层构成，介质膜层与外延层相连接；金属反射层和金属键合层相连接；其特征在于：ITO电流扩展层表面呈粗化状，ITO电流扩展层与外延层之间设置有欧姆接触点；所述外延层从下至上依次为：p-GaP窗口层、p-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、n-AlGaInP限制层、n-GaAs欧姆接触层，其中p-GaP窗口层与ODR介质膜层连接，n-GaAs欧姆接触层通过欧姆接触点和ITO电流扩展层相连。/n
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