[发明专利]高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具在审

申请号：	201610191264.9	申请日：	2016-03-30
公开（公告）号：	CN105845581A	公开（公告）日：	2016-08-10
发明（设计）人：	刘林杰;郑欣;乔志壮;丁飞;任才华;吴亚光;张义政;白洪波;陈军伟	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L23/055
代理公司：	石家庄国为知识产权事务所 13120	代理人：	王占华
地址：	050051 ***	国省代码：	河北;13
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所述第二水平陶瓷件之间通过第一过渡陶瓷件连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件和第四水平陶瓷件，所述第三水平陶瓷件与所述第四水平陶瓷件之间通过第二过渡陶瓷件连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面。通过使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳，降低了射频传输损耗，可获得无波动的RF射频信号传输。
搜索关键词：	高频高速陶瓷封装外壳陶瓷层压模具烧结
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【主权项】：

1.一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件，其特征在于：至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件(1)和第二水平陶瓷件(2)，所述第一水平陶瓷件(1)的高度大于第二水平陶瓷件(2)的高度，所述第一水平陶瓷件(1)的右端与所述第二水平陶瓷件(2)的左端之间通过第一过渡陶瓷件(3)连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件(4)和第四水平陶瓷件(5)，所述第三水平陶瓷件(4)的高度大于第四水平陶瓷件(5)的高度，所述第三水平陶瓷件(4)的右端与所述第四水平陶瓷件(5)的左端之间通过第二过渡陶瓷件(6)连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面，且所述第三水平陶瓷件(4)相对于所述第一水平陶瓷件(1)缩进一段长度，所述第四水平陶瓷件(5)相对于所述第二水平陶瓷件(2)延伸出一段长度；所述第一水平陶瓷件(1)的上表面用于连接键合金丝(7)，所述第四水平陶瓷件(5)的下表面用于连接金属引线(8)；使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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