[发明专利]一种基于离子掺杂的长余辉纳米材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610182169.2 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105754595A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 袁荃;王杰;马覃勤 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;F21V9/16;A61K49/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种余辉纳米材料及基于离子掺杂进行尺寸和光谱调控的长余辉纳米材料制备方法，其表达式为Zn1+xGa2‑2xGexO4:0.75％Cr，其中，0≤x≤0.5，颗粒尺寸为7nm～80nm。其制备方法为将特定比例的硝酸锌溶液、硝酸镓溶液、锗酸钠溶液以及硝酸铬溶液一起混合，搅拌下迅速加入氨水，调节混合溶液pH至10；然后将混合溶液转移至高温水热釜中，于120℃反应，即得到该余辉纳米材料。该方法简单易行，不需要严苛的实验条件和复杂的大型仪器，合成的纳米颗粒粒径分布均一、水相分散性好、余辉强度高、余辉时间可达10h，因此本发明非常适用于改善长余辉纳米材料的物理化学等性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 掺杂 余辉 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种长余辉纳米材料，其特征在于：其表达式为Zn1+xGa2‑2xGexO4:0.75％Cr，其中，0≤x≤0.5。
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