[发明专利]一种稀土铥离子注入二氧化钛晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610162480.0 申请日: 2016-03-21
公开(公告)号: CN105568391B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 贾传磊;李松 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: C30B31/22 分类号: C30B31/22;C30B33/02;C30B29/16
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 221116 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种稀土铥离子注入二氧化钛晶体的制备方法,属于二氧化钛晶体的制备方法。该二氧化钛晶体的制备方法利用离子注入技术在二氧化钛(TiO2)晶体中注入稀土铥离子,注入后样品在氧氛围中高温退火处理;首先采用40keV‑350keV范围内五种不同能量,总剂量为1.25×1015离子/平方厘米的铥离子注入二氧化钛晶体表面,注入靶室温度为600℃;注入后样品在800℃~1000℃温度范围内进行退火处理;所制备的铥离子注入二氧化钛晶体可以在1420nm‑1450nm波段有效实现Tm元素荧光发射。优点采用多能量及多剂量的铥离子注入TiO2晶体在较宽深度范围内获得较均匀的铥离子浓度分布,采用600℃高温靶室注入减少了晶格损伤;制备的铥离子注入二氧化钛晶体在800℃高温退火30分钟之后,获得最佳的1420nm‑1450nm波段的Tm元素荧光发射。
搜索关键词: 一种 稀土 离子 注入 氧化 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种稀土铥离子注入二氧化钛晶体的制备方法,其特征在于,该二氧化钛晶体的制备方法包括步骤如下:(1)样品处理:样品为二氧化钛单晶,表面光学抛光,尺寸为5mm×5mm,厚度为0.5mm;样品表面先后用去离子水、酒精及丙酮做清洁处理;(2)离子注入:采用多能量的铥离子注入步骤(1)中处理后的二氧化钛晶体抛光面,注入靶室温度为600℃ ,注入离子的能量分别为350keV、200keV、150keV、80keV及40keV,根据能量由高到低的原则依次注入,对应的注入离子剂量依次为6.67×1014离子/平方厘米、1.44×1014离子/平方厘米、1.94×1014离子/平方厘米、1.44×1014离子/平方厘米及1.03×1014离子/平方厘米;(3)退火处理:将步骤(2)中注入后的二氧化钛晶体样品分别在管式炉氧氛围中高温退火,退火温度范围800℃~1000℃ ,退火温度阶梯为20℃ ,每一退火温度阶梯下的退火时间均为30分钟。
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