[发明专利]介电陶瓷组合物和陶瓷电子部件

摘要

本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO₃所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。

主权项

1.一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分，其中，所述A为选自Ba、Ca以及Sr中的至少1种，所述B为选自Ti以及Zr中的至少1种；第1副成分，该第1副成分为包含Eu的至少3种稀土元素的氧化物；和第2副成分，该第2副成分为Si的氧化物，所述第1副成分至少包含Eu的氧化物、Ra的氧化物以及Rb的氧化物，所述Ra为选自Sc、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少1种，所述Rb为选自Y、Dy、Ho、Tb以及Gd中的至少1种，相对于100摩尔的所述主成分，如果将所述Eu的氧化物的含量以Eu2O3换算记为α摩尔，将所述Ra的氧化物的含量以Ra2O3换算记为β摩尔，将所述Rb的氧化物的含量以Rb2O3换算记为γ摩尔，将所述第2副成分的含量以SiO2换算记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。