[发明专利]访问动态随机存储器DRAM的方法和总线有效
| 申请号： | 201610135661.4 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107180001B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 梁军;刘虎;张志强 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 毛威;孙涛 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种访问动态随机存储器DRAM的方法和总线。该方法包括接收访问指令，该访问指令包括访问地址，该访问地址包括物理地址和增添设置的第一字段和第二字段，其中，该第一字段用于指示交织模式，该交织模式表示访问通道的选择方式，该第二字段用于指示交织粒度，该交织粒度表示该访问通道下的地址空间的容量；根据该第一字段和该第二字段，确定该访问通道和该访问通道下的地址；根据该访问通道和该访问通道下的地址，访问该DRAM。本发明实施例提供的访问动态随机存储器DRAM的方法和总线，能够实现同时支持多种交织模式和交织粒度的控制方式。 | ||
| 搜索关键词： | 访问 动态 随机 存储器 dram 方法 总线 | ||
【主权项】：
一种访问动态随机存储器DRAM的方法，其特征在于，所述方法包括：接收访问指令，所述访问指令包括访问地址，所述访问地址包括物理地址和增添设置的第一字段和第二字段，其中，所述第一字段用于指示交织模式，所述交织模式表示访问通道的选择方式，所述第二字段用于指示交织粒度，所述交织粒度表示所述访问通道下的地址空间的容量；根据所述第一字段和所述第二字段，确定所述访问通道和所述访问通道下的地址；根据所述访问通道和所述访问通道下的地址，访问所述DRAM。
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