[发明专利]高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法有效
申请号: | 201610125172.0 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN105551703B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 陈庆红;韩玉成;朱雪婷;温占福;陈思纤 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01C17/065 | 分类号: | H01C17/065;H01C17/22 |
代理公司: | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人: | 杨云 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法,属于厚膜片式电阻器的制造方法;旨在提供一种生产效率高,产品性能可靠、使用寿命长的厚膜电阻器的制造方法。其步骤如下:将印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空炉中匀速加热至标称烧结温度T0,保温,匀速冷却;若阻值偏差率Δ0大于5%,则需将陶瓷基片送入真空炉中进行多次热处理,直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%。本发明不仅可避免激光切割而造成的断口、消除产品薄弱点,而且还可以消除电阻体内部微缺陷,提高电阻膜层的致密度以及膜层表面平整度、提高产品可靠性和使用寿命;是一种制造厚膜电阻器的方法。 | ||
搜索关键词: | 厚膜电阻器 制造 热处理 使用寿命 陶瓷基片 阻值偏差 高电压 高功率 真空炉 送入 厚膜片式电阻器 产品可靠性 产品性能 电阻浆料 电阻膜层 激光切割 膜层表面 生产效率 烧结 薄弱点 电阻体 平整度 体内部 微缺陷 标称 电阻 断口 加热 保温 冷却 印刷 | ||
【主权项】:
1.一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法,包括电阻体烧结、电阻体阻值修正;其特征在于步骤如下:1)将表面印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空度为9×10‑4Mp的加热炉中进行烧结,在陶瓷基片表面形成电阻体;保证温度在15~25min内匀速升至标称烧结温度T0、保温10~20min、然后在15~25min内匀速冷却至室温;2)根据电阻体的阻值R、电阻器的目标阻值R0,算出电阻器的阻值偏差率Δ0=|(R‑R0)/R|;3)若阻值偏差率Δ0大于5%,则需将陶瓷基片送入真空度为9×10‑4Mp的加热炉中进行多次热处理,直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%,Δn=|(Rn‑R0)/Rn|;每次热处理时,保证温度在15~25min内匀速升温至Tn=Tn‑1×(1‑Δn‑1)、保温10~20min、然后在15~25min内匀速冷却至室温,Δn为第n次热处理后电阻体的阻值偏差率、Rn为第n次热处理后电阻体的阻值、Tn为第n次热处理的目标温度、n为热处理的次数。
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