[发明专利]一种降低介质材料等效介电常数的方法在审
| 申请号： | 201610119634.8 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105742140A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘国;李芳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00;H01J25/34 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于微波、毫米波真空电子器件领域，涉及电磁波传输领域中的多层介质匹配结构，具体为一种降低介质材料等效介电常数的方法，用以解决现有的具有优良性能的介电材料在实际应用中，其介电常数与要求不匹配的问题。该方法基于指定的多层介质匹配结构中的基准介质层，设置与基准介质层的介电常数相匹配的匹配介质层时，对匹配介质层沿电场分布开孔，得到包括多个通孔的匹配介质层；或者将所述匹配介质层的通孔位置用介质柱替换，介质柱材料与匹配介质层的材料相同，同时将匹配介质层的非通孔位置的介质材料替换为空气。本发明能够对介质材料等效介电常数做到精确调整，实现多层介质匹配结构的介电常数完美匹配；大大提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 介质 材料 等效 介电常数 方法 | ||
【主权项】：
一种降低介质材料等效介电常数的方法，其特征在于，基于指定的多层介质匹配结构中的基准介质层，设置与基准介质层的介电常数相匹配的匹配介质层时，对匹配介质层沿电场分布开孔，得到包括多个通孔的匹配介质层。
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