[发明专利]用于改善在硼离子注入期间离子束电流和性能的含硼掺杂剂组合物、系统和其使用方法

摘要

本发明提供一种用于在硼离子注入期间改善束电流的新型组合物、系统和方法。在优选的方面，所述硼离子注入工艺涉及利用特定浓度范围内的B2H6、11BF3和H2。选择所述B2H6，以便在活性氢离子物质的生成和注入期间所使用的离子源的操作弧电压下与所述BF3的电离截面相比，具有更高的电离截面。所述氢允许高含量的B2H6被引入所述BF3而不减少F离子清除。当与由常规的硼前体材料生成的束电流相比时，所述活性硼离子产生改善的束电流，所述束电流的特征在于维持或增加所述束电流水平而不引起离子源的劣化。

主权项

一种操作离子源的方法，所述方法包括∶提供包含以下的组合物：含量在约0.1%‑10%范围内的B2H6；约5%‑15%的H2以及剩余为以硼质量同位素11同位素富集的三氟化硼(11BF3)，并且此外其中所述组合物特征为基本上缺乏由通式BxHy表示的高级硼烷，其中x是3或更大，并且y是7或更大；将所述组合物以约0.5‑5 sccm范围内的流速引入所述离子源；在不大于110V的弧电压下操作；电离所述组合物以产生11B离子；生成束电流；和将所述11B离子注入基件中。