[发明专利]由低成本稀土原料制备的稀土闪烁晶体及其低成本生长工艺有效
| 申请号： | 201610115940.4 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105543963B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 薛冬峰;孙丛婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/36;C09K11/79 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了低成本稀土闪烁晶体，由RE2O3、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物经过晶体生长后得到；所述RE2O3、铈的氧化物和镥的氧化物的质量之和与所述二氧化硅的质量的比值为(0.75～1.25)∶1；所述铈的氧化物的质量与所述RE2O3和镥的氧化物的质量之和的比值为(0.005～0.04)∶1；所述RE2O3和镥的氧化物的质量比为(0.005～1)∶1。本发明按照晶体生长一致熔融区内组成‑温度关系确定原料配比。本发明采用特定原料配比能够有效降低闪烁晶体生长过程中的液/固相变温度点，降低晶体生长能耗，贵金属损耗，快速生长工艺有利于缩短生长时间，晶体成品率高，具有明显的低成本优势。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 低成本 晶体生长 闪烁晶体 二氧化硅 原料配比 稀土 贵金属 快速生长 生长过程 温度关系 稀土原料 生长 成品率 温度点 质量比 熔融 制备 能耗 | ||
【主权项】：
1.低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，其特征在于，包括以下步骤，a)将原料分别经过多级结晶工艺后，得到高纯原料；所述高纯原料的纯度为大于等于99.995％；所述原料包括RE2 O3 、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物；所述RE包括Gd、La和Y中的一种或多种；所述RE2 O3 、铈的氧化物和镥的氧化物的物质的量之和与所述二氧化硅的物质的量的比值为大于等于0.75且小于1，或者为大于1且小于等于1.25；所述铈的氧化物的物质的量与所述RE2 O3 和镥的氧化物的物质的量之和的比值为(0.005～0.04)：1；所述RE2 O3 和镥的氧化物的物质的量的比值为(0.005～1)：1；b)将上述步骤得到的高纯原料进行混合后，得到混合原料；c)在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；d)在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的多晶料块熔化后，采用提拉法在籽晶的引导下进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体；所述引导的温度为大于等于1850且小于2050℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所，未经中国科学院长春应用化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610115940.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
