[发明专利]一种CMP工艺仿真方法及仿真系统有效
| 申请号： | 201610115438.3 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107145614B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;杨紫薇;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP工艺仿真方法及仿真系统，包括：根据网格化的研磨芯片中任意一网格区域至研磨垫之间的基准高度，建立所述网格区域与研磨垫之间的接触压力的关系式为第一关系式；对所述第一关系式进行积分，并参考所述研磨芯片的图形结构，以对所述基准高度进行修正，得到修正基准高度；根据所述修正基准高度和第一关系式，修正所述网格区域与研磨垫之间的接触压力的关系式为第二关系式；根据所述第二关系式进行所述研磨芯片表面形貌仿真。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在仿真过程中引入研磨芯片的图形结构，以建立一种真实描述研磨芯片表面形貌的仿真方法，提高CMP工艺仿真方法的模拟精度和适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 工艺 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种CMP工艺仿真方法，其特征在于，包括：根据网格化的研磨芯片中任意一网格区域至研磨垫之间的基准高度，建立所述网格区域与研磨垫之间的接触压力的关系式为第一关系式；对所述第一关系式进行积分，并参考所述研磨芯片的图形结构，以对所述基准高度进行修正，得到修正基准高度；根据所述修正基准高度和第一关系式，修正所述网格区域与研磨垫之间的接触压力的关系式为第二关系式；根据所述第二关系式进行所述研磨芯片表面形貌仿真。
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