[发明专利]反熔丝型一次编程的存储单元及其相关的阵列结构

摘要

本发明公开一种反熔丝型一次编程的存储单元结构及其相关的阵列结构。第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与第四掺杂区形成于阱区内。栅极氧化层覆盖于阱区的表面。第一栅极形成于第一掺杂区与第二掺杂区之间的栅极氧化层上，且第一栅极连接至字符线。第二栅极形成于第三掺杂区与第四掺杂区之间的栅极氧化层上，且第二栅极连接至字符线。第三栅极形成于第二掺杂区与第三掺杂区之间的栅极氧化层上，且第三栅极连接至反熔丝控制线。第一掺杂区与第四掺杂区连接至位线。

主权项

1.一种反熔丝型一次编程的存储单元，包括：阱区；第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与第四掺杂区，形成于该阱区的一表面；栅极氧化层，覆盖于该阱区的该表面；第一栅极，形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第一栅极连接至一字符线；第二栅极，形成于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第二栅极连接至该字符线；第三栅极，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第三栅极连接至一反熔丝控制线；以及第一金属层，经由一第一穿透洞连接至该第一掺杂区并经由一第二穿透洞连接至该第四掺杂区，其中该第一金属层为一位线。