[发明专利]一种键合方法

摘要

本发明提供一种键合方法，包括如下步骤S1在键合机的上下加热基板之间叠放一组待键合结构；所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片，其中，热膨胀系数较大的一个位于上方；S2在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构；所述辅助键合结构包括相互结合的第一介质层及第二介质层，其中，热膨胀系数较大的一个位于下方；S3通过上下加热基板对辅助键合结构及待键合结构施加压力，并加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。本发明通过引入辅助键合结构，使得在键合过程中辅助键合结构由于热失配产生边缘向下的翘曲，利用这种边缘的横向剪切应力向下压迫待键合晶片的边缘，从而达到降低晶片键合后翘曲，改善边缘键合质量的目的。

主权项

一种键合方法，其特征在于，所述键合方法包括如下步骤：S1：在键合机的下加热基板与上加热基板之间叠放一组待键合结构；所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片，其中，所述目标衬底与所述晶片中热膨胀系数较大的一个位于上方；S2：在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构；所述辅助键合结构包括相互结合的第一介质层及第二介质层，其中所述第一介质层与第二介质层中热膨胀系数较大的一个位于下方；S3：通过所述上加热基板及所述下加热基板对所述辅助键合结构及所述待键合结构施加压力，并将所述待键合结构加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。