[发明专利]一种光色可调发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610085664.1 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105720151A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 熊卓;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光色可调发光二极管，包括衬底和外延层，所述外延层包括第一多量子阱层，所述第一多量子阱层上具有贯穿该层的微纳米孔洞，在所述孔洞内沉积有与所述第一多量子阱层上下表面齐平的第二多量子阱结构。还提供一种制备光色可调发光二极管的方法。通过在与衬底平行的横向方向上分布不同的量子阱，改变传统的纵向堆叠多量子阱结构的生长模式，既可以解决在一定注入电流下纵向堆叠多量子阱结构无荧光粉单芯片白光发光二极管的有源区中电子和空穴分布不均的问题，也可以通过不同多量子阱的组合来实现光色可调的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光色可调发光二极管，包括衬底和外延层，所述外延层包括第一多量子阱层，其特征在于，所述第一多量子阱层中具有贯穿该层的微纳米孔洞，在所述孔洞内沉积有与所述第一多量子阱层上下表面齐平的第二多量子阱结构。
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