[发明专利]电迁移测试装置、电迁移测试系统及其测试方法有效
申请号: | 201610083841.2 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN107045993B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 甘正浩;冯军宏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种电迁移测试装置、电迁移测试系统及其测试方法,其中电迁移测试装置包括:用于实现与所述待测结构的电连接的连接金属层;用于向所述待测结构施加测试电压的加载电极;用于获得所述待测结构在测试条件下感测电压的感测电极;用于对所述待测结构进行加热的加热器件。本发明通过独立的加热器件使所述待测结构的温度达到所述测试条件,从而使温度对所述待测结构的电迁移的影响与电流对所述待测结构电迁移的影响分开,能够提高所获得的所述待测结构的激活能和电流密度指数的准确性,进而提高所获得的所述待测结构在工作情况下失效时间的准确性,有效提高电迁移测试的准确性。 | ||
搜索关键词: | 迁移 测试 装置 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电迁移测试系统,其特征在于,包括:/n电迁移测试装置,所述电迁移测试装置包括:连接金属层,一端与待测结构相连,用于实现与所述待测结构的电连接;加载电极,与所述连接金属层未连接所述待测结构的一端电连接,用于向所述待测结构施加测试电压,使所述待测结构的感测电流达到测试条件,以实现电迁移;感测电极,与所述连接金属层连接所述待测结构的一端电连接,用于获得所述待测结构在测试条件下的感测电压;加热器件,用于对所述待测结构进行加热,使所述待测结构的温度达到所述测试条件,实现电迁移;/n第一加热装置,用于改变所述待测结构的温度;/n温度获取装置,用于在所述第一加热装置改变所述待测结构温度时获取所述待测结构温度;/n供电电源,用于在所述第一加热装置改变所述待测结构温度时对所述待测结构进行供电;/n测试电源,用于在通过加热器件对所述待测结构进行加热的过程中,向所述加载电极加载测试电压;/n电压获取装置,与所述感测电极相连,用于获取所述待测结构的电压;/n电流获取装置,与所述待测结构相连,用于获取所述待测结构的电流;/n加热电流获取装置,与所述加热器件相连,用于获取通入所述加热器件的加热电流;/n时间获取装置,用于获得待测结构在测试条件下的第一失效时间;/n预处理装置,与所述温度获取装置相连,用于在所述第一加热装置改变所述待测结构温度时获取所述待测结构温度;与所述加热电流获取装置相连,用于在加热器件通入加热电流时,获取通入加热器件的加热电流;与电压获取装置和电流获取装置相连,用于获取所述待测结构的电压和电流,并根据所述待测结构的电压和电流获得所述待测结构的电阻;在第一加热装置改变所述待测结构温度时,所述预处理装置用于获得待测结构的温度与待测结构的电阻的关系;向所述加热器件通入加热电流对所述待测结构进行加热时,所述预处理装置用于获得加热电流与待测结构电阻的关系;所述预处理装置还用于根据待测结构的温度与待测结构的电阻的关系以及加热电流与待测结构电阻的关系,获得加热电流与待测结构温度的关系;/n测试处理装置,与电压获取装置和电流获取装置相连,用于获取所述待测结构的电压和电流,并根据所述电压和电流获得所述待测结构的电阻变化率;与所述加热电流获取装置相连,用于在加热器件通入加热电流时,获取通入加热器件的加热电流;所述测试处理装置还用于根据所述电阻变化率判断所述待测结构是否失效,在所述电阻变化率达到预设阈值时判断所述待测结构失效;与所述时间获取装置相连,用于在判断所述待测结构失效时获得所述待测结构在测试条件下的第一失效时间;/n工作处理装置,与所述预处理装置相连,用于获取加热电流与待测结构温度的关系;与所述测试处理装置相连,用于获得第一失效时间以及与所述第一失效时间相对应的感测电流;用于根据所述第一失效时间并结合加热电流与待测结构温度的关系获得所述待测结构的激活能;用于根据所述感测电流获得所述感测电流的电流密度,并结合与所述感测电流相对应的第一失效时间获得所述电流密度指数;还用于根据所述待测结构的激活能与电流密度指数获得所述待测结构在工作条件下的第二失效时间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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