[发明专利]掩膜版有效
| 申请号： | 201610080491.4 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105511220B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张朝波;刘亮亮;田宏伟;白妮妮;韩帅;康峰;唐亮;绰洛鹏;闵天圭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版，属于曝光技术领域，其可解决现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题。本发明的掩膜版包括：图形结构，其包括遮光区和透光区；设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：/n图形结构，其包括遮光区和透光区；/n设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率；/n设于高折射层与图形结构之间且与高折射层接触的第二低折射层，所述高折射层的折射率大于第二低折射层的折射率；/n所述高折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的偶数倍；/n所述第一低折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的奇数倍；/n所述第二低折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的奇数倍。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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