[发明专利]掩膜版

说明书

本发明提供一种掩膜版，属于曝光技术领域，其可解决现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题。本发明的掩膜版包括：图形结构，其包括遮光区和透光区；设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。

技术领域

本发明属于曝光技术领域，具体涉及一种掩膜版。

背景技术

显示基板、集成电路等中的许多结构都是通过光刻工艺制备的，而曝光是光刻工艺的重要步骤，其主要通过掩膜版进行。

如图1所示，掩膜版包括遮光区12和透光区11，遮光区12能遮挡光线而透光区11允许光线透过。由此，当曝光光线(如紫外光)垂直照射到掩膜版上后只能从透光区11透过，从而对与透光区11图形相同的区域进行光曝光，形成相应的曝光图形。随着技术的发展，显示基板等中的结构越来越细小，相应的透光区11的尺寸也越来越小。因此如图1所示，光线通过透光区11时相当于经过了细小的狭缝，必然会发生明显的衍射而产生斜设，进而导致实际被光线照射到的区域的宽度比透光区11的宽度大，影响曝光精确度和分辨率的提高。

发明内容

本发明针对现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题，提供一种可实现更高曝光精确度和分辨率的掩膜版。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜版，其包括：

图形结构，其包括遮光区和透光区；

设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。

优选的是，所述高折射层的折射率在1.52至1.76之间；所述第一低折射层的折射率在1.2至1.5之间。

进一步优选的是，所述高折射层由氧化铝、三氟化镧、三氟化钕中的任意一种材料构成；所述第一低折射层由二氧化硅、氟化镁、氟化铝中的任意一种材料构成。

优选的是，所述掩膜版还包括：设于高折射层与图形结构之间且与高折射层接触的第二低折射层，所述高折射层的折射率大于第二低折射层的折射率。

进一步优选的是，所述第二低折射层的折射率在1.2至1.5之间。

进一步优选的是，所述第二低折射层由二氧化硅、氟化镁、氟化铝中的任意一种材料构成。

进一步优选的是，所述高折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的偶数倍；所述第一低折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的奇数倍；所述第二低折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的奇数倍。

进一步优选的是，所述第二低折射层为用于支撑图形结构、高折射层、第一低折射层的支撑层。

进一步优选的是，所述支撑层由石英玻璃构成。

进一步优选的是，所述支撑层的厚度在7mm至15之间。

本发明的掩膜版中包括高折射层和第一低折射层，故从透光区透过并发生衍射的光线射到高折射层和第一低折射层的界面时，若入射角过大则会发生全反射而不能射出；由此，本发明的掩膜版只允许沿竖直方向或近似竖直方向的光线通过，从而避免了衍射对曝光图形尺寸的影响，提高了曝光精确度和分辨率。

附图说明

图1为现有的掩膜版的结构示意图；

图2为本发明的实施例的一种掩膜版的结构示意图；

图3为本发明的实施例的另一种掩膜版的结构示意图；

其中，附图标记为：11、透光区；12、遮光区；21、第一低折射层；22、第二低折射层；3、高折射层。