[发明专利]掩膜版有效
| 申请号： | 201610080491.4 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105511220B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张朝波;刘亮亮;田宏伟;白妮妮;韩帅;康峰;唐亮;绰洛鹏;闵天圭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
图形结构，其包括遮光区和透光区；
设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率；
设于高折射层与图形结构之间且与高折射层接触的第二低折射层，所述高折射层的折射率大于第二低折射层的折射率；
所述高折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的偶数倍；
所述第一低折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的奇数倍；
所述第二低折射层的厚度为曝光主波长的四分之一的奇数倍。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述高折射层的折射率在1.52至1.76之间；
所述第一低折射层的折射率在1.2至1.5之间。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，
所述高折射层由氧化铝、三氟化镧、三氟化钕中的任意一种材料构成；
所述第一低折射层由二氧化硅、氟化镁、氟化铝中的任意一种材料构成。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述第二低折射层的折射率在1.2至1.5之间。
5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述第二低折射层由二氧化硅、氟化镁、氟化铝中的任意一种材料构成。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述第二低折射层为用于支撑图形结构、高折射层、第一低折射层的支撑层。
7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，
所述支撑层由石英玻璃构成。
8.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，
所述支撑层的厚度在7mm至15mm之间。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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