[发明专利]纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法有效
| 申请号： | 201610064798.5 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105523521B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 苏江滨;朱贤方;伊姆兰·汗 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层均匀、分散的金纳米颗粒，然后利用透射电镜高能电子束选择性聚焦辐照，诱导辐照区域内非晶硅氧化物纳米线材料优先融蒸和径向收缩，并引起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构。具有很强的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 纵向 同轴 结构 及其 电子束 聚焦 辐照 制备 方法 | ||
【主权项】：
纳米线纵向同轴异质结构，其特征在于单晶金纳米桥的两端紧密连接着非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。
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