[发明专利]一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统有效
| 申请号： | 201610053449.3 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105740526B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 曹鹤;陈岚;张贺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统，该方法包括步骤：确定化学机械平坦化CMP工艺产生工艺缺陷的条件；根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域；将所述待填充区域分解为简单几何图形；根据各简单几何图形的几何信息生成待填充版图。由于根据特征级CMP的研磨理论，获得小区域几何结构对CMP缺陷的影响，并通过版图的矩形化处理获得填充区域的几何信息，不会造成因漏填导致无法保证平整度的问题，且便于后续进行冗余金属智能填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冗余 金属 填充 区域 版图 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种冗余金属填充区域版图的处理方法，其特征在于，包括步骤：确定化学机械平坦化CMP工艺产生工艺缺陷的条件；根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域；将所述待填充区域分解为简单几何图形，所述简单几何图形包括以下一种或多种：矩形、三角形及其组合；根据各简单几何图形的几何信息生成待填充版图；所述根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域包括：根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定产生缺陷的间距阈值L；将不可填充区域边界外扩L/2，获取外扩区域；进行布尔运算取反，获取参考待填充区域；将参考待填充区域边界外扩L/2，获取待填充区域。
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