[发明专利]一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法有效

专利信息
申请号: 201610050449.8 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105753495B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 秦先志;罗小阳;唐甲林;贺瑜 申请(专利权)人: 深圳市柳鑫实业股份有限公司
主分类号: C04B37/02 分类号: C04B37/02
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518106 广东省深圳市光明*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法,本发明清洗采用强酸性清洗剂并搭配清洗机,可清除铜箔表面可能就存在的CuO,保证后期的氧化的均匀性。另外,水洗采用4‑8次蒸馏水漂洗,可充分除去表面残留的清洗剂,避免后续出现误差。水洗后采用在低温下自然风干的方式晾干,可有效防止铜箔在空气中的缓慢氧化,保证后期氧化的均匀性。氧化过程中第一次氧化和第二次氧化界限分明,不同条件的氧气含量,不同的温度区分,最大限度的避免出现交叉的化学反应,同时第一次氧化形成的氧化层也是一层较好的保护层,可以阻止未氧化的铜元素参与第二次氧化的化学反应,可较好的保证氧化层厚度的均匀性。
搜索关键词: 均匀性 铜箔 清洗剂 化学反应 陶瓷基板 氧化层 预氧化 烧制 蒸馏水漂洗 表面残留 不同条件 铜箔表面 氧化过程 自然风干 晾干 保护层 强酸性 清洗机 铜元素 保证 氧气 搭配 清洗
【主权项】:
1.一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法,其特征在于,包括步骤:A、使用强酸性清洗剂并搭配清洗机清洗铜箔表面;B、然后使用蒸馏水漂洗4‑8次,自然风干待用;C、将铜箔进行第一次氧化,其中,第一次氧化的条件为:铜箔在氧气含量为800‑2000ppm的环境下,环境温度由室温升至150‑500℃,到达目标温度后保温10‑30min;D、将铜箔进行第二次氧化,其中,第二次氧化的条件为:环境中氧气含量为200‑1000ppm,由第一次氧化时的温度升至650‑850℃,到达目标温度后保温10‑20min;E、保持步骤D的环境氧气含量不变,缓慢降温至室温;步骤C中,升温速度为15‑30℃/min;步骤D中,升温速度为10‑25℃/min;步骤B中,风干温度为不大于50℃。
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