[发明专利]一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法有效
| 申请号： | 201610044801.7 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105543969B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 吴真龙;曾颀尧;郑建钦;田宇;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C23C16/34;C23C16/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，涉及Ⅲ族氮化物的金属有机物化学气相沉积MOCVD生长技术领域。本发明采用两步法生长AlN薄膜，包括以下步骤1）清洁烘烤衬底；2）氮化或预通三甲基铝；3）低温生长AlN缓冲层；4）升温退火；5）高温生长AlN薄膜；上述步骤3）和步骤5）中至少有一个步骤需通入三甲基镓作为表面活性剂。同现有技术相比，用本发明方法制备的AlN薄膜，具有位错密度小、表面平整度好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 aln 薄膜 晶体 质量 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，采用两步法生长AlN薄膜，其特征在于，包括以下步骤：1）清洁烘烤衬底；2）氮化或预通三甲基铝；3）低温生长AlN缓冲层；4）升温退火；5）高温生长AlN薄膜；上述步骤3）和步骤5）中至少有一个步骤需通入三甲基镓作为表面活性剂，所述通入三甲基镓作为表面活性剂，三甲基镓与三甲基铝的流量摩尔比为0.1‑1，实际掺入AlN层中的Ga组分为0.01‑0.1。
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