[发明专利]一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法

权利要求书

1.一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，采用两步法生长AlN薄膜，其特征在于，包括以下步骤：

1）清洁烘烤衬底；

2）氮化或预通三甲基铝；

3）低温生长AlN缓冲层；

4）升温退火；

5）高温生长AlN薄膜；

上述步骤3）和步骤5）中至少有一个步骤需通入三甲基镓作为表面活性剂，所述通入三甲基镓作为表面活性剂，三甲基镓与三甲基铝的流量摩尔比为0.1-1，实际掺入AlN层中的Ga组分为0.01-0.1。

2.根据权利要求1所述改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，其特征在于，所述步骤1）的衬底采用蓝宝石、硅或者碳化硅中的一种。

3.根据权利要求1或2所述改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，其特征在于，所述步骤2）的氮化或预通三甲基铝过程温度为500-1100℃，反应室压力为20-200mbar，时间为5-120s。

4.根据权利要求3所述改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，其特征在于，所述步骤3）中的AlN缓冲层外延生长温度为500-1200℃，反应室压力为20-200mbar，缓冲层厚度为5-100nm，Ⅴ/Ⅲ比为100-10000。

5.根据权利要求4所述改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，其特征在于，所述步骤5）中的AlN薄膜外延生长温度为1000-1400℃，反应室压力为20-200mbar，AlN薄膜厚度为1-5μm，Ⅴ/Ⅲ比为10-1000。

6.根据权利要求5所述改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，其特征在于，所述步骤5）中在高温生长AlN薄膜时，表面活性剂三甲基镓的通入阶段是整层或者整层的其中某一部分。

7.根据权利要求6所述改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，其特征在于，所述生长AlN方法为金属有机物化学气相沉积法。