[发明专利]一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法有效
申请号: | 201610040986.4 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN105679684B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 余正刚;邹冠生;单春光;余会;冯华忠;余正伟 | 申请(专利权)人: | 中山市瑞宝电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/02 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 邹常友 |
地址: | 528400 广东省中山市南朗镇大车工*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法,具体步骤为:一、配制活化溶液;二、镜面氮化铝陶瓷基板表面除油处理,在除油溶液中浸泡15~300min后,用纯水冲洗干净;三、镜面氮化铝陶瓷基板表面除蜡处理,在除蜡水中浸泡15~300min;四、镜面氮化铝陶瓷基板表面活化;五、用去离子水冲净镜面氮化铝基板表面,冷风吹干镜面氮化铝陶瓷基板上的水后,置于烘箱中烘烤30~180min,自然冷却后得到高活性的镜面氮化铝陶瓷基板。本发明有效降低了镜面氮化铝陶瓷基板DPC工艺中前处理时对镜面氮化铝表面的损伤,在氮化铝陶瓷基板表面形成一层超薄的高活性膜层,对金属元素具有强浸润作用和附着能力,特别适用于氮化铝材质的IC载板DPC工艺的使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 dpc 工艺 用镜面 氮化 陶瓷 活性 预处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法,其特征在于:它包括以下步骤:步骤一;活化溶液的配制;活化溶液由催化剂、缓释剂、活性盐和添加剂混合而成,其中催化剂包括双氧水、过硫酸钠的任一种或二者混合,催化剂包括双氧水、过硫酸钠的任一种或二者混合,缓释剂由乙二醇、甘油的任一种或二者混合,活性盐由硝酸钠、氟化铵和硝酸锰混合而成,添加剂为草酸、EDTA的任一种或二者混合,将选取的试剂按比例溶于去离子水中,30℃条件下搅拌,搅拌速度为200~2000转/分钟,30min~180min后过滤制得活化溶液;步骤二;镜面氮化铝基板除油清洗;将镜面氮化铝基板浸入除油溶液中,用超声清洗工艺清洗,去除镜面氮化铝基板表面的污垢,用去离子水冲净其表面;步骤三;镜面氮化铝基板除蜡清洗;将镜面氮化铝基板置于除蜡水中,超声工艺清洗,除去镜面氮化铝基板表面因抛光残留的蜡状抛光膏,用去离子水冲净其表面;步骤四;镜面氮化铝基板表面活化反应;将除油处理过的镜面氮化铝基板浸泡于活化溶液中,并辅以超声工艺,在催化剂的作用下,镜面氮化铝表面的Al元素和N元素发生化学反应,形成AlNM化学键(M=H、Na、NH4、Mn)和OAlF化学键,使其表面形成高浸润、高活性的膜层;步骤五;镜面氮化铝基板的热处理;将已经形成高活性层的镜面氮化铝基板的表面用去离子水冲净,冷风吹干氮化铝基板表面,置于烘箱中烘烤,自然冷却后得到DPC工艺用的高活性氮化铝陶瓷基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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