[发明专利]一种偏振不敏感光驱动可调谐太赫兹波超材料吸收器在审
| 申请号： | 201610038342.1 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105720378A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 程用志;章喆;周钰杰 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种偏振不敏感光驱动可调谐太赫兹波超材料吸收器，包括单元结构、光敏感半导体和金属底板，所述单元结构包括介质基板、金属图案层和金属背板，所述介质基板位于所述金属图案层与所述金属背板之间，所述金属图案层镶嵌有所述光敏感半导体，所述单元结构位于所述金属底板上。本发明利用加载半导体硅电导率的不同，调节开缝环结构电磁谐振和阻抗匹配特性，以实现在比较宽的太赫兹频率范围内吸收特性的调节效果。当太赫兹波入射到吸收器上时，谐振结构周围产生磁场环路，该磁场环路使金属片和半导体硅产生欧姆损耗，电介质基板上产生介电损耗，电磁波的电磁能通过介电损耗和欧姆损耗转化为热能，从而实现对太赫兹波损耗吸收的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 不敏 感光 驱动 调谐 赫兹 材料 吸收 | ||
【主权项】：
一种偏振不敏感光驱动可调谐太赫兹波超材料吸收器，其特征在于，包括单元结构、光敏感半导体和金属底板，所述单元结构包括介质基板、金属图案层和金属背板，所述介质基板位于所述金属图案层与所述金属背板之间，所述金属图案层镶嵌有所述光敏感半导体，所述单元结构位于所述金属底板上。
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