[发明专利]一种复杂三维结构微通道的加工方法有效
申请号: | 201610034243.6 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105668505B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 陈云;陈新;高健;张昱;汪正平;高波;贺云波;杨志军 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人: | 龚燕妮 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种复杂三维结构微通道的加工方法,以金属粒子作为催化剂,根据所需要成形的三维微通道结构,通过机械外力改变加工件方位和旋转速度,从而控制金属粒子催化剂与加工件的接触位置与运动方向,在氢氟酸和氧化剂的混合溶液的作用下刻蚀加工件,从而加工出所需的复杂三维结构微通道;该方法避开了常规思维,通过借助机械外力,巧妙的且简单的实现了三维结构微通道的制作,成本低,且适应于任意规则的复杂三维结构通道;能够适用于微流控芯片、生物芯片及微电子器件,可用于大批量生产,有较大的推广空间。 | ||
搜索关键词: | 一种 复杂 三维 结构 通道 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种复杂三维结构微通道的加工方法,其特征在于,以金属粒子作为催化剂,根据所需要成形的三维微通道结构,通过机械外力改变加工件方位和旋转速度,从而控制金属粒子催化剂与加工件的接触位置与运动方向,在氢氟酸和氧化剂的混合溶液的作用下刻蚀加工件,从而加工出所需的复杂三维结构微通道;所述加工件为硅或者III‑V族半导体材料;包括以下具体步骤:首先,将金属粒子溅射在硅或者III‑V族半导体材料上;其次,将硅或者III‑V族半导体材料置于装有氢氟酸、氧化剂和水的混合腐蚀溶液中的密闭反应容器中定向腐蚀,获得定向微孔;接着,将整个反应容器固定于离心机的夹具中,使反应容器绕离心机的Z轴旋转,进行旋转腐蚀,形成横向通道;最后,按照设定需求,将反应容器翻转,改变定向腐蚀方向后进行定向腐蚀,再启动离心机,使得反应容器绕离心机的Z轴旋转,重复定向腐蚀和旋转腐蚀操作,直到获得设定需求的复杂三维结构微通道。
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