[发明专利]使用空间上分开的注入器腔室进行的对膜的原子层沉积有效
申请号: | 201610023480.2 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105821393B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | T·E·佐藤;E·纽曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种沉积膜的方法,所述方法包含以下步骤:在具有多个处理区域的处理腔室中的基板支撑件上定位多个基板,通过气幕使每一个处理区域与相邻的区域分开。在处理区域中的至少一个处理区域中交替向第一反应性气体、净化气体、第二反应性气体和净化气体的暴露以沉积膜。 | ||
搜索关键词: | 使用 空间 分开 注入 器腔室 进行 原子 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种处理方法,所述方法包含以下步骤:在处理腔室中的基板支撑件上定位多个基板,所述处理腔室包含多个处理区域,通过气幕使每一个处理区域与相邻的区域分开;使第一反应性气体流入所述处理区域中的一个或多个处理区域中,同时使惰性气体流入不具有第一反应性气体流的任何处理区域中;旋转所述处理腔室内的基板支撑件上所述多个基板以使所述基板中的每一个基板穿过所述处理区域中的每一个处理区域至少一次;停止所述第一反应性气体进入所述处理区域的流动;使第二反应性气体流入所述处理区域中的一个或多个处理区域中,同时使惰性气体流入不具有第二反应性气体流的任何处理区域中;旋转所述处理腔室内的所述多个基板以使所述基板中的每一个基板穿过所述处理区域中的每一个处理区域至少一次;停止所述第二反应性气体进入所述处理区域的流动;以及相对于暴露于所述第二反应性气体期间的所述基板支撑件的旋转速度,改变在暴露于所述第一反应性气体期间的所述基板支撑件的旋转速度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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