[发明专利]IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板

摘要

本发明提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板。本发明的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，将公共电极走线与栅极采用同层金属制得，将像素电极与漏极采用同层金属制得，在绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于所述公共电极走线上方的过孔，在所述绝缘保护层上形成透明导电材料的公共电极，使公共电极通过过孔与公共电极走线相接触，从而能够提升像素电极的充电效率；本发明的TFT阵列基板，像素电极与漏极采用同层金属制得，公共电极走线与栅极采用同一层金属层制得，公共电极为透明导电材料并位于绝缘保护层上，公共电极通过绝缘保护层及栅极绝缘层上的过孔与公共电极走线相接触，像素电极的充电效率高，能够提高IPS型液晶显示面板的显示效果。

主权项

一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)、公共电极走线(20)、及栅极扫描线(30)；步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于栅极(11)上方的半导体层(13)；步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、像素电极(16)、及数据线，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层(17)，并对绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201)；步骤5、在所述绝缘保护层(17)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极(21)，所述公共电极(21)通过过孔(201)与公共电极走线(20)相接触。