[发明专利]一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法有效
申请号: | 201610014848.9 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN105449050B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 许路加;蒋方丹;何广东;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B32B37/00;B32B37/06;B32B37/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池领域,尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法。本发明提供的方法包括以下步骤a)提供待层压太阳能电池组件,所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板;所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片连接成的电池串;b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压,得到层压后太阳能电池组件;c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框,并安装接线盒,得到晶体硅太阳能电池组件。本发明通过在层压处理过程中对晶体硅太阳能电池组件进行通电处理,提升了晶体硅太阳能电池抗光致衰减的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法,包括以下步骤:a)对晶体硅太阳能电池片进行加热处理后,检测多个晶体硅太阳能电池片的电池效率;将多个电池效率为预设电池效率取值范围内的晶体硅太阳能电池片进行焊接,得到电池串;所述加热处理的温度为150~300℃,所述加热处理的时间为15~40min;b)提供待层压太阳能电池组件,所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板;所述晶体硅太阳能电池模块为所述电池串;c)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压,得到层压后太阳能电池组件;d)将所述层压后太阳能电池组件进行装框,并安装接线盒,得到晶体硅太阳能电池组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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