[发明专利]集成电路壳体

摘要

本发明涉及具有一个半导体主体的集成电路壳体(IC‑壳体)，其中半导体主体具有一个单片的集成电路及至少两个金属接触面，及该集成电路借助导体线路与两个电接触面连接以及半导体主体被设置在一个载体基底上且与该载体基底力锁合地连接，及该载体基底具有至少两个连接接触部及这两个连接接触部与两个接触面连接以及半导体主体与载体基底被一个浇注质量体覆盖，其中浇注质量体构成IC‑壳体的一部分及两个连接接触部的各一区段穿过IC壳体，其中这两个连接接触部设置在载体基底上及每个连接接触部与位于相应的连接接触部下面的载体基底构成一个孔状构形，其中相应的孔状构形被构成穿通接触部，以便提供与另一电构件的电连接。

主权项

1.一种集成电路(IC)壳体(10)，其具有半导体主体(20)，其中，所述半导体主体(20)具有单片的集成电路和至少两个金属接触面(30，40)，并且，该集成电路借助于导体线路与这两个接触面(30，40)接线连接，并且，所述半导体主体(20)设置在形成为板的载体基底(50)的上侧(52)上并且与该载体基底(50)的所述上侧(52)力锁合地连接，并且，所述载体基底(50)具有至少两个连接接触部(80，90)，并且，这两个连接接触部(80，90)与上述两个接触面(30，40)接线连接，并且，所述半导体主体(20)与所述载体基底(50)借助浇注质量体(200)覆盖，其中，所述浇注质量体(200)构成所述集成电路壳体(10)的一部分，并且，上述两个连接接触部(80，90)的区段分别穿过所述集成电路壳体(10)的浇注质量体，其中：上述两个连接接触部(80，90)设置在所述载体基底(50)的上侧(52)上，并且，每个连接接触部(80，90)与位于相应的连接接触部(80，90)下方的载体基底(50)构成孔状成型部，其中，相应的孔状成型部被构成穿通接触部(100，110)，以便提供与另一电构件的电连接，其中在载体基底(50)的整个上侧(52)上构造有浇注质量体(200)，和在载体基底(50)的下侧(54)上以及在载体基底(50)的上侧(52)上的穿通接触部(100，110)不具有浇注质量体(200)，其中，在所述载体基底(50)上设置有另一电子构件(118,410)，该另一电子构件与所述半导体主体(20)间隔开并且借助浇注质量体(200)覆盖。