[发明专利]提供残余应变的补偿的、在第III-V族材料和硅晶片之间的材料界面的外延生长的方法有效
| 申请号： | 201580070931.1 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107278323B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 雷纳托·布格;盖尔·米瓦尼斯 | 申请（专利权）人： | 集成太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体材料的方法，所述半导体材料包含与Si基底组合的第III‑V族材料的界面层。特别地，本发明涉及制造半导体材料的方法，所述半导体材料包含与Si(111)基底组合的GaAs，其中通过引入补偿残余应变的添加的层，由于各材料的不同的热膨胀系数产生的残余应变被抵消。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 残余 应变 补偿 iii 材料 晶片 之间 界面 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种抵消半导体材料中的残余应变的方法，所述半导体材料包含在外延生长工艺中沉积在Si(111)晶片上的层中的第III‑V族材料，所述方法包括以下步骤：在所述外延生长工艺中，添加构成成核/第一层的步骤，所述成核/第一层包含提供特定的第一晶格常数的第III‑V族材料组合，随后在所述外延生长工艺中，添加构成第二层的另外的步骤，所述第二层包含提供特定的第二晶格常数的第III‑V族材料组合，其中所述第二晶格常数小于所述第一晶格常数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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