[发明专利]太阳能电池模组及其制造方法有效
申请号: | 201580070529.3 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN107148676B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 小池淳一;须藤祐司;安藤大辅;和田真 | 申请(专利权)人: | 材料概念有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供对于在高温高湿度的环境中使用的MW级的太阳能光伏发电系统而言、能够防止PID不良的发生的太阳能电池模组及太阳能电池模组的制造方法。一种太阳能电池模组,其在基板的受光面侧包含保护玻璃及封装材料,其中,在基板与保护玻璃之间包含氧化物层,所述氧化物层含有金属元素及硅。所述氧化物层优选含有选自由镁、铝、钛、钒、铬、锰、锆、铌、钼组成的组中的至少一种金属元素。所述氧化物层相对于波长为587nm的入射光的折射率优选为1.5以上、2.3以下。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 模组 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
太阳能电池模组,其在基板的受光面侧包含保护玻璃及封装材料,其中,在基板与保护玻璃之间包含氧化物层,所述氧化物层含有金属元素及硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的