[发明专利]由含硅三元金属间化合物生产卤代硅烷的方法有效

专利信息
申请号: 201580068979.9 申请日: 2015-11-06
公开(公告)号: CN107108665B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: D·凯瑟里斯;J·罗伯茨 申请(专利权)人: 美国陶氏有机硅公司
主分类号: C07F7/16 分类号: C07F7/16
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴亦华
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了一种制备包含卤代硅烷的反应产物的方法,所述方法包括:在300℃至700℃的温度下,使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触以形成所述反应产物。所述三元金属间化合物包含铜、硅和过渡金属。所述反应产物中的所述卤代硅烷具有式R1mR2nHoSiX(4‑m‑n‑o),其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团,每个R2独立地为不饱和一价烃基基团;每个X独立地为卤素原子;下标m为1、2或3;下标n为0、1或2;下标o为0、1或2;并且(m+n+o)的量为1、2或3。所述不饱和烃基卤化物中的所述不饱和烃基基团的至少一部分被转化为所述卤代硅烷中的饱和烃基基团(R1)。
搜索关键词: 卤代硅烷 三元金属间化合物 不饱和烃基 烃基基团 卤化物 饱和烃基基团 过渡金属 卤素原子 制备 转化 生产
【主权项】:
1.一种用于制备包含卤代硅烷的反应产物的方法,其中所述方法包括:在300℃至700℃的温度下,使不饱和烃基卤化物与包含铜、硅和过渡金属的三元金属间化合物接触以形成所述反应产物,所述过渡金属选自银、铬、铁、钼和铑,其中所述卤代硅烷具有通式R1mR2nHoSiX(4‑m‑n‑o),其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团,每个R2独立地为不饱和一价烃基基团;每个X独立地为卤素;下标m为1、2或3;下标n为0、1或2;下标o为0、1或2;并且(m+n+o)的量为1、2或3;其中所述不饱和烃基卤化物中的不饱和烃基基团的至少一部分被转化为所述卤代硅烷中的饱和烃基基团。
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