[发明专利]使用远紫外线辐射光刻的材料、组件和方法,及其它应用有效
申请号: | 201580064372.3 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN107209293B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 苏普利亚·杰西瓦尔 | 申请(专利权)人: | 苏普利亚·杰西瓦尔 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G02B5/20;G02B1/115 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了纳米结构的光子材料,以及相关的组件,用于运行在紫外的(UV),远紫外的(EUV),和/或软X光波长的设备和系统中。这样一种材料可以通过在选择的波长范围内,例如可以在特别的UV,EUV/或软X光波长或波长范围内,使用改变的纳米级特征,进行制造。这样一种材料可用于制造组件,例如镜子,透镜或其它光学器件,面板,光源,掩模,光刻胶,或其它组件,用于一些应用,例如光刻,晶圆图案形成,天文和空间应用,生物医学应用,生物技术或其它应用。 | ||
搜索关键词: | 使用 紫外线 辐射 光刻 材料 组件 方法 其它 应用 | ||
【主权项】:
一种制造一个光学元件的方法,元件用于在一个0.1至250纳米的目标波长范围内是反射的和传送的,包含:提供一个基底;将一组纳米级建筑模块装配入一个具有预定义设置的配置或支架结构;以及使用原子层沉淀,沉淀一个材料进入已装配的配置或支架。
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