[发明专利]用于基于MRAM的磁性设备的电气互连设备有效
申请号: | 201580053583.7 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN107078149B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | B.坎博 | 申请(专利权)人: | 克罗科斯科技公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 一种基于MRAM的磁性设备,包括电气互连设备,该电气互连设备包括:磁性隧道结;电气连接磁性隧道结的下端的带部;电气连接磁性隧道结的上端的电流线部;通过通孔电气连接下金属螺柱的上金属螺柱;带部与通孔直接电气接触,使得在磁性隧道结中传递的电流直接在带部和通孔之间以及在通孔和下金属螺柱或上金属螺柱之间流动。 | ||
搜索关键词: | 用于 基于 mram 磁性 设备 电气 互连 | ||
【主权项】:
1.一种包括互连设备和多个MRAM单元的基于MRAM的磁性设备,其中每个MRAM单元都包括:磁性隧道结;电气连接磁性隧道结的下端的结带;电气连接磁性隧道结的上端的电流线;以及用于传递感测电流的场线,该场线被布置在磁性隧道结的下端下面;一个MRAM单元的磁性隧道结通过电流线和结带与另一MRAM单元的磁性隧道结串联电气连接;互连设备包括:电气连接多个MRAM单元中的一个的磁性隧道结的下端的带部;电气连接多个MRAM单元中的一个的所述磁性隧道结的上端的电流线部;通过通孔电气连接下金属螺柱的上金属螺柱;其中带部与通孔直接电气接触,使得在磁性隧道结中传递的电流直接在带部和通孔之间以及在通孔和下金属螺柱或上金属螺柱之间流动;其中上金属螺柱和通孔与下金属螺柱向下对齐,并且电流线部与多个MRAM单元中的一个的所述磁性隧道结向下对齐;并且其中仅互连设备的带部电气连接多个MRAM单元中的一个的所述磁性隧道结的结带,使得互连设备被串联连接到多个MRAM单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的