[发明专利]沸石膜、其制备方法及使用了该沸石膜的分离方法有效
| 申请号： | 201580035833.4 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106573204B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 今坂怜史;板仓正也;长谷川泰久;佐藤刚一 | 申请（专利权）人： | 日立造船株式会社 |
| 主分类号： | B01D69/10 | 分类号： | B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02;C01B39/48 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张晶;谢顺星<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种沸石膜，其在通过沸石分离膜进行的分离中，不仅兼具在实用上充分高的分离性能与处理量，还可保持长期间稳定的分离性能。CHA型沸石颗粒的Si/Al(摩尔比)为9.5～100.5，在对沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图中，2θ＝18°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的0.5倍，及/或2θ＝10°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的4倍。在使用含有Si元素源、Al元素源、碱源及有机模板的水性反应混合物，通过水热合成，在多孔支持体的中间层上形成具有CHA型晶体结构的沸石膜时，使用未经脱铝处理的FAU型沸石作为Si元素源及Al元素源。 | ||
| 搜索关键词： | 沸石膜 制备 方法 使用 分离 | ||
【主权项】：
1.一种沸石膜制备方法，其特征在于，所述沸石膜为在具有中间层的多孔支持体的中间层上成膜的具有CHA型晶体结构的沸石膜，CHA型沸石颗粒的Si/Al摩尔比为9.5～100.5，CHA型结晶的粒径为100nm～1μm，在对沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图中，2θ＝18°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的0.5倍，及/或2θ＝10°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的4倍，且在此沸石膜制备方法中，/n在使用含有Si元素源、Al元素源、碱源及有机模板的水性反应混合物，通过水热合成，在多孔支持体的中间层上形成具有CHA型晶体结构的沸石膜时，使用未经脱铝处理的FAU型沸石作为Si元素源及Al元素源，/n其中沸石薄膜不接触的支持体的平均细孔径比中间层的平均细孔径大。/n
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