[发明专利]防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580023964.0 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106462052B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 小野阳介;高村一夫 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 防护膜具有由有机系材料和无机系材料形成的膜片，在该膜片的同一平面上存在包含有机系材料的区域和由无机系材料形成的区域，至少上述膜片的中心部为由无机系材料形成的区域，并且，至少上述膜片的周端部为包含有机系材料的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 组件 曝光 原版 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防护膜，其具有由有机系材料和无机系材料形成的膜片，在该膜片的同一平面上存在包含有机系材料的区域和由无机系材料形成的区域，至少所述膜片的中心部为由无机系材料形成的区域，并且，至少所述膜片的周端部为包含有机系材料的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学株式会社，未经三井化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580023964.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可热显影的成像材料
- 下一篇：用于压印纳米结构的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
