[发明专利]用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模有效
| 申请号： | 201580015190.7 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106104830B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | Y·陆;C·朴;W-C·陈 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造磁性隧道结(MTJ)装置的多步骤蚀刻技术包括在该MTJ装置的第一电极上形成第一导电硬掩模以供在第一蚀刻步骤期间蚀刻第一电极。该方法还包括在第一导电硬掩模上形成第二导电硬掩模以供在第二蚀刻步骤期间蚀刻该MTJ装置的磁性层。间隔体层被共形沉积在第一导电硬掩模的侧壁上。第二导电硬掩模被沉积在第一导电硬掩模上并与第一导电硬掩模的侧壁上的间隔体层对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 步骤 磁性 隧道 mtj 蚀刻 替代 导电 硬掩模 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结MTJ装置，包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠；所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体；以及与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。
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