[发明专利]具有倾斜底部电极的电阻式存储器单元在审
| 申请号： | 201580004920.3 | 申请日： | 2015-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN106415869A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·沃尔斯;保罗·菲思特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种形成电阻式存储器单元(例如CBRAM或ReRAM单元)的方法，其可包含形成多个底部电极连接件(302)；将底部电极层(310)沉积于所述底部电极连接件上；执行蚀刻以移除所述底部电极层的部分，以使至少一个指向上底部电极区域(340)形成于所述底部电极连接件上方，每一指向上底部电极区域界定底部电极尖端；及使电解质区域(350)及顶部电极(352)形成于每一底部电极尖端上，使得所述电解质区域布置于所述顶部电极与所述相应底部电极顶部之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倾斜 底部 电极 电阻 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种形成电阻式存储器单元的方法，其包括：形成多个底部电极连接件；将底部电极层沉积于所述底部电极连接件上；执行蚀刻以移除所述底部电极层的部分，以使至少一个指向上底部电极区域形成于所述底部电极连接件上方，每一指向上底部电极区域界定底部电极尖端；及使电解质区域及顶部电极形成于每一底部电极尖端上，使得所述电解质区域布置于所述顶部电极与所述相应底部电极顶部之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密克罗奇普技术公司，未经密克罗奇普技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580004920.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
