[发明专利]氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶有效
| 申请号： | 201580000713.0 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105209405B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 角田浩二;长田幸三 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氧化物烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述氧化物烧结体具有以In、Ga和Zn的原子比计InGaZn＝111的IGZO(111)相和比IGZO(111)相含有更多Zn的IGZO相；比IGZO(111)相含有更多Zn的IGZO相的面积比率为1～10％；该氧化物烧结体的In、Ga和Zn的原子数比为InGaZn＝11(1.02～1.10)。本发明的课题在于提供可以降低为了得到具有所期望的载流子浓度的膜而需要的溅射时的氧浓度的IGZO氧化物烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 包含 溅射 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述氧化物烧结体具有以In、Ga和Zn的原子比计In：Ga：Zn＝1：1：1的IGZO(111)相和比IGZO(111)相含有更多Zn的IGZO相；比IGZO(111)相含有更多Zn的IGZO相的面积比率为1～10％；该氧化物烧结体的In、Ga和Zn的原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：(1.02～1.10)；所述氧化物烧结体的烧结体密度为6.3g/cm3以上。
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