[实用新型]一种串联PN结发光二极管有效
| 申请号： | 201521073125.3 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN205303502U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;徐洲;何胜;李波;李俊承;李洪雨;林鸿亮;张双翔;张永 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/42 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种串联PN结发光二极管，涉及半导体元器件的生产技术领域。本实用新型包括在基板一侧设置下电极，在基板另一侧依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、欧姆接触层和上电极，其特征在于在P限制层和电流扩展层之间设置相互串联的P型层和N型层。本实用新型形成了量子阱（MQW）PiN结和串联PN结，串联PN的生长可根据电压的需求，来对外延层的组分、掺杂和厚度进行调整。本实用新型在量子阱的任意一侧串联可调节电压的串联PN结，实现四元系AlGaInP 发光二极管的电压可调节，实现电压范围在2.2～3.5V之间，使得产品与蓝绿光的搭配更简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 串联 pn 结发 二极管 | ||
【主权项】：
一种串联PN结发光二极管，包括在基板一侧设置下电极，在基板另一侧依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、欧姆接触层和上电极，其特征在于在P限制层和电流扩展层之间设置相互串联的P型层和N型层。
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