[实用新型]用于高能离子注入的复合掩膜

摘要

本专利公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本专利中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本专利的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。

主权项

一种用于高能离子注入的复合掩膜，它包括注入阻挡层(1)，光致抗蚀剂掩膜层(2)，牺牲介质层(3)；其特征在于：所述的复合掩膜的底层为注入阻挡层(1)，中部为具有掩膜图形的光致抗蚀剂掩膜层(2)，上层为牺牲介质层(3)；所述的注入阻挡层(1)为20～200nm厚的介质膜层，采用与碲镉汞材料晶格失配小的碲锌镉、碲化锌或碲化镉材料；所述的牺牲介质层(3)为20～200nm厚的二氧化硅或硫化锌薄膜层。