[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201520111370.2 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN204391115U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰;徐泽 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种背照式图像传感器，包括：像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素，所述像素包括光电二极管区域，所述光电二极管区域包括N型掺杂的电荷收集区域；凸起结构，其高出于所述电荷收集区域对应的半导体表面，所述凸起结构全部为N型掺杂区域或靠近顶部的部分区域为N型掺杂区域，所述凸起结构适于抽取所述电荷收集区域中的溢出电荷。所述背照式图像传感器性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素，所述像素包括光电二极管区域，所述光电二极管区域包括N型掺杂的电荷收集区域；凸起结构，其高出于所述电荷收集区域对应的半导体表面，所述凸起结构全部为N型掺杂区域或靠近顶部的部分区域为N型掺杂区域，所述凸起结构适于抽取所述电荷收集区域中的溢出电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
