[发明专利]用于生产多晶硅的还原炉及改善多晶硅表面菜花的方法

摘要

本发明公开了一种用于生产多晶硅的还原炉及改善多晶硅表面菜花的方法，该还原炉包括底盘、硅芯、设置于底盘上的进料喷嘴和硅芯底座，硅芯底座将硅芯固定于底盘上，以底盘为基准面，进料喷嘴的高度为硅芯底座高度的1/2～1/4。本发明降低了多晶硅表面菜花占比，既能使得进料喷嘴喷出的物料能够到达硅芯顶部，又保证了还原炉内沉积反应的速度。还原炉运行过程中，本发明中的进料喷嘴的高度设置防止了进料喷嘴高度过低使得进料喷嘴喷出的物料的混合气到达不了还原炉顶部，本发明中的进料喷嘴的高度设置使得从还原炉底部进料喷嘴进来的混合气能够使还原炉顶部的气体层发生湍流，还原炉内硅芯顶部温度均匀，硅棒表面沉积均匀。

主权项

1.一种用于生产多晶硅的还原炉，包括底盘、硅芯、设置于所述底盘上的进料喷嘴和硅芯底座，所述硅芯底座将所述硅芯固定于所述底盘上，其特征在于，以所述底盘为基准面，所述进料喷嘴的高度为所述硅芯底座高度的1/2～1/4，所述进料喷嘴在所述底盘上呈环形分布，所述环形包括内环和外环，所述进料喷嘴包括在所述内环分布的内环喷嘴和在所述外环分布的外环喷嘴，所述内环喷嘴的口径为所述外环喷嘴的口径的2～2.5倍。