[发明专利]一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510552162.0 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105140356B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 曲爽;王成新;逯瑶;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法，其结构由下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、N型AlYInXGa1‐X‐YN层、多量子阱发光层和P型GaN层，N型AlYInXGa1‐X‐YN层中，0≤X≤1，0<Y<1；N型GaN层中的Al组分是渐变的；其制备方法包括以下步骤(1)在处理过的衬底上生长成核层；(2)在成核层上生长非掺杂氮化镓缓冲层，(3)在缓冲层上生长N型AlYInXGa1‐X‐YN层；(4)在N型AlYInXGa1‐X‐YN层上生长由InGaN势阱层和GaN势垒层周期性交替叠加构成多量子阱发光层；(5)在多量子阱发光层上生长P型GaN层。本发明采用Al组分渐变的模式来制备N型区，提升了电子浓度和抗静电能力，从本质上改善GaN薄膜质量，使电流扩展能力增强，提高了光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al 组分 渐变 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Al组分渐变式N型LED结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将蓝宝石、碳化硅衬底或氮化镓衬底放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中，在氢气气氛下加热到800‑1300℃，处理5‑15分钟；（2）在处理过的蓝宝石、碳化硅或氮化镓衬底上生长氮化镓、氮化铝或者铝镓氮成核层；生长温度450‑650℃，厚度10‑60nm；（3）在成核层上生长非掺杂氮化镓缓冲层，生长温度800‑1150℃，厚度50‑2000nm；（4）在缓冲层上生长厚度为0.2‑5μm的N型AlYInXGa1‑X‑YN层；（5）在N型AlYInXGa1‑X‑YN层上生长由InGaN势阱层和GaN势垒层周期性交替叠加构成多量子阱发光层；总厚度为500‑3600nm，由3‑20个周期的InGaN势阱层和GaN势垒层交互叠加构成；（6）在多量子阱发光层上生长P型GaN层，掺杂Mg元素，掺杂浓度为6×1017/cm‑3‑5×1020/cm‑3。
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